基于氮氧化物的高k栅介质研究现状

• 作者: 徐文彬 王德苗
• 来源期刊: 科技创新导报
• 学科: 地球科学
• 关键词: 氮氧化物 栅介质 氮化
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 所属期刊栏目: 工程技术
• 页码范围: 105-106
• 分类号: X701
• 字数: 2934字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-098X.2010.08.085

摘要

氮氧化物在MOS器件高k栅介质研究中得到了广泛的重视.本文从材料、工艺、性能等角度综述了目前氮氧化物的研究进展,对氮化改性应用于高k栅介质的利弊作了重点探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王德苗	浙江大学信电系	66	789	15.0	24.0
2	徐文彬	集美大学信息工程学院	10	21	3.0	4.0