不同基材上Co掺杂CdSe薄膜电极的制备及光电催化性能

• 作者: 吴薇 姚秉华 张瑞蓉 王爽 赵洁
• 来源期刊: 化学反应工程与工艺
• 学科: 工学
• 关键词: 基材 钴 掺杂 硒化镉 光电催化
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 页码范围: 527-531
• 分类号: TQ032.4
• 字数: 2406字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-7631.2011.06.008

摘要

采用脉冲电流沉积法制备了负载于氧化锡铟(ITO)导电玻璃、不锈钢板、镍板和铜板等不同基材上的Co掺杂CdSe薄膜电极,利用紫外可见漫反射和交流阻抗实验测试了Co掺杂CdSe薄膜电极的性能,并以对硝基苯酚降解来评价该薄膜的光电催化性能.结果表明:基材的种类对Co掺杂CdSe薄膜电极的性能影响较大,其催化降解对硝基苯酚的活性由大到小依次为:镍板,不锈钢板,ITO导电玻璃.对硝基苯酚光电催化降解反应为一级反应,以ITO导电玻璃、不锈钢板和镍板为基材的Co-CdSe薄膜光电催化降解对硝基苯酚的表观速率常数分别为0.044 2,0.065 8和 0.276 8 min-1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚秉华	西安理工大学理学院	166	1453	18.0	26.0
2	王爽	西安理工大学理学院	4	21	3.0	4.0
3	赵洁	西安理工大学理学院	30	274	10.0	15.0
4	张瑞蓉	西安理工大学理学院	2	4	2.0	2.0
5	吴薇	西安理工大学理学院	1	2	1.0	1.0