MEMS压电超声换能器二维阵列的制备方法

• 作者: 任天令 刘理天 富迪 杨轶 陈豪
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅-硅键合 微机电压电超声换能器(pMUT) PZT膜 高频换能器阵列 医学超声成像
• 年，卷（期）: 2011,（8）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 523-527
• 分类号: TP212|TN64
• 字数: 2520字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2011.08.009

摘要

针对超声换能器阵列中阵元密度难以提升和工艺重复性差等问题,提出了一种基于硅-硅键合技术的MEMS压电超声换能器二维阵列的制备方法,并采用该方法制备了阵元间距小至150 μm的密排二维换能器阵列.阵列中每个声学单元均为由上电极、压电材料(PZT)层、下电极和支撑层组成的多层膜结构,并通过其弯曲振动模式实现超声波的发射和接收.制备样品的测试结果表明,采用该方法制作MEMS压电超声换能器阵列,具有阵元间距小、工艺流程可靠、成品率高、一致性好、工作频率(2.45 MHz)与设计值(2.5 MHz)的吻合度高等优点,适用于医学成像等高频超声成像系统.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘理天	清华大学微电子学研究所	230	1519	19.0	23.0
2	任天令	清华大学微电子学研究所	87	600	13.0	19.0
3	杨轶	清华大学微电子学研究所	7	29	4.0	5.0
4	陈豪	清华大学微电子学研究所	2	5	1.0	2.0
5	富迪	清华大学微电子学研究所	1	4	1.0	1.0