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Analytical-Numerical Model for the Cut off Frequency of AIGaNIGaN High Electron Mobility Transistors
Analytical-Numerical Model for the Cut off Frequency of AIGaNIGaN High Electron Mobility Transistors
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摘要：
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Thermodynamic properties of San Carlos olivine at high temperature and high pressure
San Carlos olivine
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文献信息
| 篇名 | Analytical-Numerical Model for the Cut off Frequency of AIGaNIGaN High Electron Mobility Transistors | ||
| 来源期刊 | 材料科学与工程：中英文B版 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | 高电子迁移率晶体管 数值模型 频率分析 数值分析模型 电压特性 截止频率 泊松方程 电子陷阱 | ||
| 年，卷（期） | clkxygczy-b,（2） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 190-199 | |
| 页数 | 10页 | 分类号 | TN32 |
| 字数 | 语种 | ||
| DOI | |||
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高电子迁移率晶体管
数值模型
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电压特性
截止频率
泊松方程
电子陷阱
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期刊影响力
材料科学与工程：中英文B版
主办单位：
美国大卫出版公司
出版周期：
双月刊
ISSN：
2161-6221
CN：
开本：
出版地：
武汉洪山区卓刀泉北路金桥花园C座4楼
邮发代号：
创刊时间：
语种：
出版文献量（篇）
570
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