C+轰击铍的分子动力学模拟

• 作者: 孙伟中 张浚源 潘宇东 苟富均 赵成利 陈峰
• 来源期刊: 核聚变与等离子体物理
• 学科: 工学
• 关键词: 分子动力学 入射能量 溅射 滞留 富C层
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 等离子体物理学
• 页码范围: 207-212
• 分类号: TL62
• 字数: 3458字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0254-6086.2011.03.003

摘要

使用分子动力学模拟方法研究了入射能量对C+离子与Be样品表面相互作用的影响.模拟结果表明,随着C+离子的入射能量增大,C+离子注入深度也增加,Be原子的溅射产额近似线性增加,而滞留在样品中的C 原子数量变化不大,在C+离子轰击Be样品的初始阶段,样品中Be原子的溅射产额较大,而随着C+离子注入剂量的增加,Be原子的溅射产额逐渐减小并趋于稳定.在此作用过程中,在样品表面形成一个富C层,减缓了样品中Be原子的溅射速率,起到了保护Be样品的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘宇东		27	80	5.0	7.0
2	陈峰	贵州大学等离子体与材料表面作用研究所	11	59	3.0	7.0
3	孙伟中	四川大学原子核科学技术研究所辐射物理及技术教育部重点实验室	7	7	1.0	2.0
4	张浚源	四川大学原子核科学技术研究所辐射物理及技术教育部重点实验室	8	8	1.0	2.0
5	赵成利	贵州大学等离子体与材料表面作用研究所	8	11	2.0	2.0
6	苟富均	四川大学原子核科学技术研究所辐射物理及技术教育部重点实验室	12	12	2.0	3.0