提供低损耗大功率的MOSFET

• 来源期刊: EDN CHINA 电子设计技术
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET 大功率 低损耗 功率二极管 电源效率 功率损失 太阳能板 标称电压
• 年，卷（期）: 2011,（8）
• 所属期刊栏目: 设计实例
• 页码范围: 57-57
• 分类号: TN386.1
• 字数: 839字
• 语种: 中文

摘要

硅功率二极管的PN结通常有大约1.2V的压降。这个压降使得功率二极管上消耗了相当的能量,从而造成电源效率的损失。对于一个有120W电源和24V标称电压的太阳能板,一个防止回流的二极管可能产生6W功率损失,或相当于受控能量的5%。此外,为二极管散热而开发一个冷却系统的成本也可能产生问题。