大气压下等离子体喷涂制备Cu/w涂层性能研究

• 作者: 刘英 江石寿 王凡 王喜省 高亮 黄建军 齐冰
• 来源期刊: 深圳大学学报（理工版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 低温等离子体物理 高速大气压等离子体喷涂 喷涂涂层 铜/钨 涂层性能 等离子体第一壁材料
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 444-448
• 分类号: O539
• 字数: 1165字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2618.2011.05.013

摘要

采用大气压等离子体喷涂和高速大气压等离子体喷涂技术制备Cu/W涂层,分别对该涂层断面的表面形貌、孔隙率、氧含量和结合强度进行测试分析.结果表明,高速大气压等离子体喷涂技术制备的Cu/W涂层在孔隙率和氧含量方面突显优势.采用高速大气压等离子体喷涂技术制备的Cu/W涂层孔隙率低于3％,且大部分孔径均小于1μm,利用EDS测得的W涂层氧含量为w(O)=0.41％,该值与真空等离子体喷涂制备的W涂层含氧量接近.与真空等离子体喷涂技术相比,高速大气压等离子体喷涂制备W涂层技术的复杂性和制作成本显著降低,在工程应用中实用可行.