少突胶质细胞电离辐射后早期基因表达谱的检测

• 作者: 刘春风 夏春林 张晔 李春鹏 田野 陈暑波
• 来源期刊: 中华放射医学与防护杂志
• 学科: 医学
• 关键词: 少突胶质细胞 电离辐射 基因表达 基因芯片
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 10-12
• 分类号: R3
• 字数: 2985字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3760/cma.j.issn.0254-5098.2011.01.003

摘要

目的 检测电离辐射后早期少突胶质细胞基因表达的变化特征.方法 将离体培养的少突胶质细胞经10 Gy照射后在1和4 h时间点,采用Affymetrix RAT 230 2.0基因表达谱芯片进行检测,并用实时荧光定量RT-PCR验证髓鞘碱性蛋白(MBP)和神经细胞间黏附分子1(NCAM-1)的测量结果.结果 少突胶质细胞经辐照后1和4 h内,其基因表达谱发生了明显的变化,这些基因有1079个已经命名并可以作功能分类.定量PCR表明MBP mRNA表达明显下调,而NCAM-1则上调,照射后4与1 h相比,表达量上调了3倍以上.结论 电离辐射后少突胶质细胞在几小时内就会发生一系列基因表达的变化,其中MBP和NCAM-1的改变可能在放射性脱髓鞘病变的发病机制中起重要作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田野	苏州大学附属第二医院放疗科	174	771	13.0	18.0
2	夏春林	苏州大学解剖学系暨细胞神经生物学研究室	100	500	10.0	18.0
3	刘春风	苏州大学神经科学研究所	349	3050	25.0	34.0
4	李春鹏	苏州大学解剖学系暨细胞神经生物学研究室	5	48	3.0	5.0
5	张晔	苏州大学解剖学系暨细胞神经生物学研究室	19	64	4.0	7.0
6	陈暑波	无锡市第二人民医院肿瘤科	14	61	5.0	7.0