温压-原位反应法制备C/C-SiC复合材料及其显微结构分析

• 作者: 姜四洲 李专 熊翔 肖鹏
• 来源期刊: 中南大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: C/C-SiC 温压-原位反应法 显微结构 界面相
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 1588-1592
• 分类号: TB331|TH117.3
• 字数: 2428字
• 语种: 中文

摘要

采用温压-原位反应法制备炭纤维增强炭和碳化硅双基体(C/C-SiC)复合材料，利用X线衍射分析材料组成，并通过扫描电子和透射电子显微镜从不同尺度观察复合材料的微观结构。研究结果表明：硅炭原位反应生成的SiC是面心立方β-SiC，并以多种形态分布在C/C-SiC复合材料中，主要有小颗粒状、圆弧状、多面体形状和不规则形状等；树脂炭基体和SiC基体之间存在非晶界面相，SiC基体的晶面间距约为0.4 nm，并存在大量孪晶，呈现平行分层生长的形貌。