兀素掺杂对VH2解氢性能的影响

• 作者: 付文升 李荣 梁国明 罗小玲
• 来源期刊: 中国科学（化学）
• 关键词: 元素掺杂 电子结构 解氢性能 第一原理计算
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 1506-1514
• 页数: 9页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1007/sl1426-011-4354-3

摘要

采用密度泛函理论(DFT)的第-性原理的平面波超软赝势方法,研究了Zr、Cu、Zn掺杂对VH2的电子结构和解氢性能的影响.计算结果显示Zr掺杂VH2后晶体模型的负合金形成热增加和费米能级Ef处电子浓度N(Ef)的减少,体系结构稳定性增强；V-H之间重叠集居数和电子密度计算也显示V-H之间相互作用增强；表明在VH2中掺杂Zr以后吸放氢最大容量增加,但解氢能力减弱.而Cu或Zn掺杂vH2以后晶体模型的负合金形成热减少和费米能级Ef处电子浓度N(Ef)的增加,体系结构稳定性减弱；V-H之间重叠集居数和电子密度计算也显示V-H之间相互作用减弱；表明在VH2中掺杂Cu或Zn以后吸放氢最大容量降低,但解氢能力增强.与实验结论相符.同时Mulliken集居数计算结果还显示V-d轨道Mulliken集居数与掺杂有关,掺杂Zr以后V-d轨道Mulliken集居数减少；掺杂Cu或Zn以后V-d轨道Mulliken 集居数增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李荣		40	161	7.0	9.0
2	梁国明		37	139	6.0	9.0
3	付文升		18	19	3.0	3.0
4	罗小玲		11	13	2.0	3.0