GMI磁传感器内部灵敏度与噪声特性研究

• 作者: 房建成 王三胜 蒋颜玮
• 来源期刊: 测试技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 巨磁阻抗(GMI) 磁传感器 非晶带 灵敏度 磁噪声
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 传感器技术
• 页码范围: 183-188
• 分类号: TP212
• 字数: 3697字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-7449.2011.02.017

摘要

建立了非晶带GMI敏感元件的灵敏度和噪声理论模型,计算了其灵敏度和磁噪声在不同易轴方向和外磁场应用条件下的响应特性.通过改变易轴方向、外磁场及直流偏置场对非晶带敏感元件进行了优化,其内部磁噪声达到了fT/(√HZ)水平.分析了内部灵敏度、工作点和磁噪声水平对GMI磁传感器性能的影响,结果表明,在GMI磁传感器设计时,应综合考虑灵敏度和噪声的指标,采取折衷的方案对敏感元件进行优化是合理的,这为实现高灵敏度、低噪声、稳定性好的GMI磁传感器提供了理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	房建成	北京航空航天大学新型惯性仪表与导航系统技术国防重点学科实验室功能材料与器件研究室	320	4308	32.0	44.0
2	王三胜	北京航空航天大学新型惯性仪表与导航系统技术国防重点学科实验室功能材料与器件研究室	26	114	5.0	9.0
3	蒋颜玮	北京航空航天大学新型惯性仪表与导航系统技术国防重点学科实验室功能材料与器件研究室	9	36	4.0	5.0