正电子碰撞Ag,In,Sn原子L壳层电离截面的理论计算

• 作者: 何建新 何彪 易有根 江少恩 郑志坚
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: L壳层 电离截面 正电子
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 原子与分子碰撞过程
• 页码范围: 692-696
• 分类号: O652
• 字数: 2663字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2011.04.016

摘要

在David Botz分析模型的基础上,综合考虑正电子及电子碰撞电离的库仑效应和电子交换效应,引入离子效应和相对论效应修正因子,计算了Ag,In,Sn原子的L壳层电离截面.计算结果表明,引入了修正因子的计算结果明显优于平面波波恩近似和扭曲波波恩近似的计算结果,并和最近文献的实验值符合得较好.其计算结果可为激光等离子体模拟提供准确参数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑志坚	中国工程物理研究院高密度等离子体物理国家重点实验室	101	433	12.0	16.0
2	何建新	湖南城市学院计算机科学系	46	175	8.0	11.0
3	江少恩	中国工程物理研究院高密度等离子体物理国家重点实验室	93	288	9.0	12.0
4	易有根	中南大学物理科学与技术学院	29	51	4.0	5.0
5	何彪	国防科学技术大学理学院	7	14	2.0	3.0