高数值孔径光刻中衬底反射率的控制

• 作者: 刘光灿 刘安玲 周远
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜光学 衬底反射率 底层抗反膜优化 高数值孔径光刻
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 激光应用
• 页码范围: 730-736
• 分类号: TN305.8
• 字数: 3897字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2011.06.015

摘要

高数值孔径(NA)光刻中,需要控制衬底反射率以减小薄膜干涉对光刻性能的影响.采用薄膜光学方法研究了高NA光刻中底层抗反膜(BARC)对衬底反射率的控制.针对硅基底对单层和双层BARC进行优化以探索满足高NA光刻要求的BARC材料光学参数容限.结果表明,当NA超过0.8时,单层BARC无法控制衬底反射率而有必要采用双层BARC.横电(TE)比横磁(TM)偏振光的衬底反射率更难以控制.NA越大,单层BARC折射系数的优化值越大.双层BARC中的顶层膜应采用低吸收率材料而底层膜应采用高吸收率材料.本研究可为高NA光刻中的BARC材料研制及衬底反射率控制提供理论依据.