密码芯片电磁信息泄漏评估方法研究

• 作者: 丁国良 常小龙 陈家文
• 来源期刊: 军械工程学院学报
• 学科: 工学
• 关键词: 密码芯片 侧信道攻击 电磁信息泄漏评估 CMOS集成电路
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 装备电磁防护理论与技术
• 页码范围: 22-25
• 分类号: TP309
• 字数: 2826字
• 语种: 中文

摘要

基于半定制集成电路设计流程,提出一种对CMOS集成电路进行电磁信息泄漏评估的方法.该方法首先利用综合工具生成电路的门级网表,将门级网表中的普通单元替换为防护逻辑单元,然后利用电磁辐射仿真模型和电磁信息泄漏评估模型对集成电路进行电磁辐射仿真和信息泄漏分析.该方法能够在设计阶段对密码芯片的抗电磁旁路攻击能力进行评估,可提高密码芯片的设计效率,减少资源浪费.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁国良	军械工程学院计算机工程系	58	277	9.0	12.0
2	陈家文	军械工程学院计算机工程系	15	54	4.0	6.0
3	常小龙	军械工程学院计算机工程系	26	88	6.0	6.0