含有p-GaN纳米阵列的InGaN/GaN双异质结太阳能电池的制作

• 作者: 唐龙娟 张东炎 杨辉 王辉 董建荣 郑新和
• 来源期刊: 科学通报
• 关键词: 纳米阵列结构 InGaN/GaN双异质结 太阳能电池 外量子效率
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 174-178
• 页数: 5页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1360/972010-1673

摘要

提出了一种提高p-GaN/i-InGaN/n-GaN双异质结太阳能电池外量子效率的方法,即将p-GaN刻蚀成纳米阵列结构.我们使用Ni退火形成微结构掩模,通过感应耦合等离子体(ICP)将p-GaN刻蚀纳米阵列结构.同时,提出了两步刻蚀n-GaN台面的制作工艺,以此在形成p-GaN纳米阵列结构时获得光滑的n-GaN层表面,以此改善后续金属电极的沉积.经测试,含有p-GaN纳米阵列结构的电池峰值外量子效率可达55%,比常规p-GaN膜层基InGaN/GaN太阳能电池的外量子效率提高了10%.