一种峰值电流控制模式的大功率DC-DC转换器芯片设计

• 作者: 刘帘曦 朱樟明 杨银堂
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: BCD工艺 降压型 峰值电流控制 瞬态响应
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 页码范围: 135-140
• 分类号: TN402
• 字数: 2899字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2011.02.024

摘要

基于CSMC 0.5 μm BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺设计了一种降压型大功率DC/DC转换器电路.采用峰值电流控制的电流模技术和斜坡补偿技术,有效提高了转换器的瞬态响应速度和系统环路稳定性.芯片内部集成了导通电阻小于0.18 Ω的功率MOSFET,可输出大干3.0A的连续电流.仿真和测试结果表明,在输入电压为4.7V至24V的条件下,芯片内部振荡频率为400kHz,输出功率可达10W,平均转换效率可达85%以上.整个芯片面积小于1.6mm×1.3mm,可广泛用于分布式电源系统中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子学院	420	2932	23.0	32.0
5	朱樟明	西安电子科技大学微电子学院	164	1318	18.0	26.0
9	刘帘曦	西安电子科技大学微电子学院	22	372	10.0	19.0