水杨酸分子印迹电化学传感器的制备及其性能研究

• 作者: 宫倩倩 方铖 曹玉华 王阳
• 来源期刊: 分析试验室
• 学科: 化学
• 关键词: 分子印迹聚合物 水杨酸 方波伏安法 化妆品
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 研究报告与研究简报
• 页码范围: 82-85
• 分类号: O657.1
• 字数: 2785字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0720.2011.06.022

摘要

以水杨酸作为模板分子,通过原位聚合法,在玻碳电极表面合成了水杨酸分子印迹聚合物膜,并用方波伏安法对该印迹电极进行了分析研究.当吸附时间为7 min时,印迹电极对水杨酸浓度响应的线性范围为1.0×10-5~2.6×10-5mol/L,检出限(S/N=3)为2.0×10-6mol/L,同一支印迹电极对水杨酸响应值的RSD为3.7%(n=7),该印迹电极对水杨酸具有良好的选择性,对结构相似的对羟基苯甲酸和对氨基苯甲酸的选择性系数分别为12和6.9.使用该分子印迹膜传感器对实际化妆品样品进行分析,加标回收率为99.9%～106.7%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹玉华	江南大学化学与材料工程学院	72	796	17.0	23.0
2	王阳	江南大学化学与材料工程学院	12	49	4.0	7.0
3	宫倩倩	江南大学化学与材料工程学院	3	19	3.0	3.0
4	方铖	江南大学化学与材料工程学院	2	24	2.0	2.0