单台面二极管晶圆红外激光划片工艺研究

• 作者: 何里 卢飞星 王中 谢云辉 谭波
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 光学制造 激光技术 单台面二极管晶圆 红外激光划片 脉冲光纤激光器 去除深度
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 页码范围: 88-92
• 页数: 5页
• 分类号: TN249
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL201138.0203002

摘要

在单台面二极管晶圆的制备中,刀具划片存在速度慢、芯片崩边率高等问题.激光划片为非接触加工,成品率高.根据晶体硅的性质,对激光划片方向进行了讨论,分析了红外激光对硅片的作用机理.根据一维热传导方程导出的近似解析解,计算了功率和扫描速度影响下的去除深度.使用1064 am脉冲光纤激光器完成了7.62 cm晶圆的激光划片,获得了崩边率小于1%,电性能合格率达到100%的样品.研究表明,去除深度影响芯片的崩边率,离焦量影响芯片的电性能.控制去除深度和离焦量进行划片会获得很高的良品率.