GeCl4深度脱氢工艺研究

• 作者: 卢宇飞 王少龙 邹艳梅 雷霆
• 来源期刊: 有色金属（冶炼部分）
• 学科: 工学
• 关键词: GeCl4 深度脱氢 工艺技术
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 材料与设备
• 页码范围: 46-49
• 分类号: TF843
• 字数: 2918字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7545.2011.03.013

摘要

以高纯GeCl4为原料,采用共同蒸馏工艺深度脱除GeCl4中的含氢杂质,为三级脱氢工艺制备光纤用GeCl4提供技术参考和支持.研究表明,添加HCl气体比添加盐酸共同蒸馏效果好,当控制温度350～354 K、静置时间36 h以上时,共同蒸馏可取得较好的脱氢效果,所得GeCl4的OH杂质可降低至0.76×10-6.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	雷霆		68	337	9.0	15.0
2	卢宇飞		12	87	5.0	9.0
3	王少龙		6	9	2.0	2.0
4	邹艳梅		8	26	3.0	5.0