纳米结构HgTe的制备方法综述与展望

• 作者: 余卫平 唐平 蒋坤朋 覃爱苗
• 来源期刊: 材料导报：纳米与新材料专辑
• 学科: 工学
• 关键词: HGTE 纳米结构 制备 应用
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 页码范围: 10-13
• 页数: 4页
• 分类号: TB383

摘要

纳米结构HgTe的光学和电学性质较其它Ⅱ-Ⅵ族半导体材料更易于进行量子调控，其量子点有望作为近红外荧光探针应用于生物细胞和组织成像研究领域。简要综述了HgTe的结构与性能、国内外制备纳米结构HgTe的方法（物理和化学方法），并展望了其应用潜力。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	覃爱苗	桂林理工大学材料科学与工程学院	35	82	5.0	8.0
2	唐平	桂林理工大学材料科学与工程学院	3	26	1.0	3.0
3	蒋坤朋	桂林理工大学材料科学与工程学院	3	1	1.0	1.0
4	余卫平	桂林理工大学材料科学与工程学院	3	26	1.0	3.0