常压下Se和Te电子结构和弹性性质的第一性原理计算

• 作者: 刘浩 朱岩 王晓明 郝爱民
• 来源期刊: 吉林大学学报（理学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理计算 能带结构 弹性系数 德拜温度
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 121-124
• 分类号: O482.1
• 字数: 1700字
• 语种: 中文

摘要

利用基于密度泛函的第一性原理,计算ⅥA族元素Se和Te在常压下的能带结构、电子态密度、弹性系数和德拜温度.能带结构和电子态密度的计算结果表明:Se为间接带隙半导体,Se费米面附近的导带和价带主要来自外层4p4电子的贡献,4s2电子对费米面附近的导带和价带贡献较少;Te为直接带隙半导体,Te费米面附近的导带和价带主要来自外层5p4电子的贡献,5s2电子对费米面附近的导带和价带贡献较少.弹性系数计算结果表明:常压下具有六角结构的Se和Te的力学性质稳定;其德拜温度分别为263 K和315 K.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘浩	石家庄职工大学教务处	16	14	2.0	3.0
2	王晓明	河北科技师范学院理化学院	4	0	0.0	0.0
3	朱岩	河北科技师范学院理化学院	6	4	1.0	1.0
7	郝爱民	河北科技师范学院理化学院	6	2	1.0	1.0