芯片上单链DNA生物膜的弯电性能分析

• 作者: 张能辉 徐凌伟 李晶晶 陈建中
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: DNA生物膜 电势 变形 弯电效应 非线性Poisson-Boltzmann方程
• 年，卷（期）: 2011,（10）
• 页码范围: 11-14
• 分类号: Q66|R318.01
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2011.10.003

摘要

基于非线性Poisson-Boltzmann (NLPB)方程和液晶薄膜弯电理论,利用Fogolari修正公式,建立了单链DNA (ssDNA)分子结构特征、溶液离子浓度等因素与生物膜电势、芯片宏观变形之间的非线性多尺度关系.结合现有的实验数据,拟合了单链DNA生物薄膜的弯电系数,并将生物膜电势分布及芯片变形的线性预测和非线性预测进行了比较,阐明了非线性多尺度关系的有效性.考察了DNA链片断数和封装密度等因素对芯片变形的影响.结果表明:随着DNA链片断数和封装密度的增加,芯片变形逐渐增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张能辉	上海市应用数学和力学研究所上海市力学在能源工程中的应用重点实验室	13	82	5.0	9.0
5	李晶晶	上海市应用数学和力学研究所上海市力学在能源工程中的应用重点实验室	21	91	6.0	9.0
9	徐凌伟	上海市应用数学和力学研究所上海市力学在能源工程中的应用重点实验室	1	1	1.0	1.0
10	陈建中	上海市应用数学和力学研究所上海市力学在能源工程中的应用重点实验室	1	1	1.0	1.0