天通成功研发宽温低损耗MnZn铁氧体TPW30材料

• 作者: 刘小英
• 来源期刊: 磁性元件与电源
• 学科: 工学
• 关键词: MNZN铁氧体 材料使用 低损耗 宽温 研发 温度范围 数码相机 CRT
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 页码范围: 69-69
• 页数: 1页
• 分类号: TN873

摘要

近期，天通成功研发宽温低损耗MnZn铁氧体TPW30材料。该材料使用范围由一般的25℃-120℃扩展到了-25℃-140℃，而且在较宽的温度范围内拥有较低的损耗，主要用于车载电子、CRT、LCD、PDP、数码相机等领域。