铜纳米线阵列显微结构的表征和控制

• 作者: 牛高 罗江山 谭秀兰 韩尚君
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 显微结构 铜纳米线阵列 电沉积 阳极氧化铝
• 年，卷（期）: 2011,（z4）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 659-661
• 分类号: TB383
• 字数: 2490字
• 语种: 中文

摘要

采用多孔氧化铝(AAO)模板脉冲电沉积法制备了强辐射源用铜纳米线阵列材料,并用扫描电子显微镜(SEM)、能谱(EDS)和X射线衍射(XRD)对其进行了结构袁征.结果表明电沉积的峰值电流强度和辅助阴极可以影响铜纳米线的表面质量、长度分布均匀性和微区长度起伏.减小峰值电流强度,可以明显改善单根铜纳米线的表面质量,但是对铜纳米线阵列长度分布均匀性和微区长度起伏影响程度有限.添加辅助阴极,不仅可以改善单根铜纳米线的表面质量,还可以显著提高铜纳米线阵列长度分布均匀性,并改善其微区长度起伏情况.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	牛高	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	11	35	4.0	5.0
2	谭秀兰	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	12	65	5.0	7.0
3	韩尚君	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	9	29	4.0	5.0
4	罗江山	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	67	469	11.0	16.0