硼氮共掺杂单壁碳纳米管电子特性研究

• 作者: 曾晖 梁君武 胡南 胡慧芳 蒲利春 韦建卫
• 来源期刊: 重庆理工大学学报：自然科学
• 学科: 物理学
• 关键词: 单壁碳纳米管 硼氮共掺杂 电子结构 输运性能
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 所属期刊栏目: 数学·物理·化学
• 页码范围: 94-99
• 分类号: O469|O471.1
• 字数: 3867字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-8425-B.2011.09.020

摘要

基于第一性原理的密度泛函理论、结合非平衡格林函数方法，计算了硼氮共掺杂情况下单壁碳纳米管的电子结构和输运特性。结果表明：单壁碳纳米管中进行硼氮共掺杂时，硼氮原子更趋向于形成沿管轴方向的硼氮原子对。针对硼氮共掺杂电子效应，从电子结构、态密度、透射系数、电流-电压曲线等方面进行了系统地探讨。硼氮原子对共掺杂显著提升了半导体性单壁管（10，0）的输运特性。而对于金属型（5，5）管的掺杂使得其在小偏压区间内表现出明显的半导体特性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡南	重庆理工大学光电信息学院	28	77	5.0	7.0
2	胡慧芳	湖南大学物理与微电子学院	18	76	5.0	7.0
3	梁君武	玉林师范学院物理与信息科学系	4	9	2.0	3.0
4	曾晖	长江大学物理科学与技术学院	11	31	3.0	5.0
5	韦建卫	重庆理工大学光电信息学院	17	30	3.0	5.0
6	蒲利春	重庆理工大学光电信息学院	21	29	4.0	4.0