氩等离子体诱导量子阱混合技术

• 作者: 何建军 张欣 彭盛华
• 来源期刊: 浙江大学学报（工学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 量子阱混合 氩等离子体 InP牺牲层 光致发光(PL) 退火温度 ICP功率
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 无线电电子学、电信技术
• 页码范围: 1057-1061
• 页数: 5页
• 分类号: TN256
• 语种: 中文
• DOI: 10.3785/j.issn.1008-973X.2011.06.016

摘要

研究了基于InGaAsP/InP应变多量子阱片的氩等离子体诱导量子阱混合工艺方法.当等离子刻蚀机(ICP)的射频(RF)功率为480 W、ICP功率为500 W、处理时间为1 min时,ICP处理过程中氩(Ar)等离子体对量子阱片的刻蚀深度小于牺牲层的厚度500 nm,晶格缺陷将产生在牺牲层内.样品在纯氮气条件、不同温度下快速退火2 min,缺陷扩散至量子阱层诱发量子阱混合.不同实验条件的样品PL光谱表明:随着退火温度和ICP功率的增加,量子阱片的光致发光谱(PL)峰值波长会发生显著的蓝移,分别在750℃和500 W时趋于饱和;此时获得的蓝移为110 nm,PL强度为原生片的55％,量子阱层仍保持了较好的晶格特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何建军		16	87	5.0	8.0
2	张欣		21	65	5.0	7.0
3	彭盛华		1	0	0.0	0.0