面向Flash存储的页面置换算法综述

• 作者: 戴华东 朱浩 颜跃进
• 来源期刊: 计算机研究与发展
• 学科: 工学
• 关键词: 页面置换算法 Flash存储 存储管理 LRU 置换开销
• 年，卷（期）: 2011,（z1）
• 所属期刊栏目: 存储器体系结构技术
• 页码范围: 251-257
• 分类号: TP316
• 字数: 4791字
• 语种: 中文

摘要

传统的页面置换算法是针对磁盘组成的存储系统来设计和优化的,而Flash存储设备和磁盘相比有很多新的特性如读、写和擦除操作的I/O开销不对称,因此需要重新设计面向Flash存储的页面置换算法.最近这些算法的研究是个热点,可以把它们分为两类:面向Flash存储的普适性页面置换算法和专门性页面置换算法.普适性页面置换算法的思想是尽量避免置换脏页以减少二级存储设备中的写回操作,如CFLRU,LRU-WSR和APRA,它们只关注操作不对称特性,在各种Flash存储系统中都能保持较高性能.针对Flash存储的特殊应用环境,人们提出了专门性页面置换算法.这些置换算法不仅考虑了Flash存储的特性而且是针对应用的特定信息如写连续,压缩分区等等来设计的,这一类算法包括FAB,CRAW-C等等.好的算法会在保持高命中率和减少置换开销之间寻找平衡,最大程度提高存储设备的整体I/O性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	颜跃进	国防科学技术大学计算机学院	11	363	5.0	11.0
2	戴华东	国防科学技术大学计算机学院	28	245	8.0	15.0
3	朱浩	国防科学技术大学计算机学院	1	5	1.0	1.0