氧化铜在γ-Al2O3载体表面的分布及其硫化性能

• 作者: 张世超 杨斌 郁青春
• 来源期刊: 中国有色金属学报（英文版）
• 学科: 化学
• 关键词: 氧化铜 分散 亚单层
• 年，卷（期）: 2011,（12）
• 页码范围: 2644-2648
• 分类号: O643.36
• 字数: 678字
• 语种: 英文
• DOI: 10.1016/S1003-6326(11)61104-7

摘要

采用浸渍方法制备不同氧化铜含量的CuO/γ-Al2O3催化剂.使用XRD、SEM和程序控制升温还原(TPR)方法研究γ-Al2O3载体表面氧化铜的分布情况.用X射线定量分析方法得到氧化铜在γ-Al2O3中的分散阈值为0.275g/g,即0.275CuAl.当氧化铜负载量小于或大于其分散阈值时,高度分散或结晶状氧化铜将会出现在γ-Al2O3载体表面.TPR实验表明0.1CuAl和纯CuO还原温度范围分别为420-690℃和290-380℃.氧化铜与载体之间的相互作用导致0.1CuAl不易被还原.0.5CuAl呈现2个分步还原温度范围,分别为210-300℃和410-730℃,证实了γ-Al2O3载体表面高度分散和结晶状分布的氧化铜.硫化实验表明,最佳氧化铜负载量小于其分散阈值,氧化铜以亚单层形式分布在γ-Al2O3载体表面.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨斌	昆明理工大学冶金与能源工程学院真空冶金国家工程实验室	141	1196	18.0	29.0
2	张世超	北京航空航天大学材料科学与工程学院	63	547	11.0	22.0
3	郁青春	昆明理工大学冶金与能源工程学院真空冶金国家工程实验室	8	34	3.0	5.0