二氧化硅对人支气管上皮细胞上皮-间质转型的影响

• 作者: 周建华 李翔 梁冠男 胡永斌 蒋海鹰 高振芹
• 来源期刊: 中华劳动卫生职业病杂志
• 学科: 医学
• 关键词: 二氧化硅 上皮细胞 间质细胞
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 7-10
• 分类号: R3
• 字数: 3433字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3760/cma.j.issn.1001-9391.2011.01.003

摘要

目的 探讨SiO2能否在体外诱导人支气管上皮细胞(HBE)发生上皮-间质转型(EMT).方法 以HBE为研究对象,0、50、100、200、300 μg/ml SiO2处理HBE,倒置显微镜下观察细胞形态学改变,免疫印迹(Westen blot)法检测E-钙黏蛋白(E-cad)、α平滑肌肌动蛋白(α-SMA)及波纹蛋白(Vim)的表达,体外划痕试验检测细胞迁移能力.结果 SiO2处理HBE细胞后,细胞间隙增宽,形态上呈纺锤形、梭形成纤维细胞样改变.随着SiO2浓度的升高,E-cad表达逐渐降低,300μg/ml组E-cad表达最低,为对照组的-2.98倍,100、200、300 μg/ml组与对照组的差异均有统计学意义(P＜0.05).Vim表达逐渐上调,300μg/ml组Vim表达最高,是对照组的4.46倍,200、300 μg/ml组与对照组的差异有统计学意义(P＜0.05).在0～200μg/ml SiO2浓度范围内,随着SiO2浓度的升高,α-SMA表达逐渐上调,200 μg/ml时α-SMA表达最强,是对照组的3.55倍,在300μg/ml时α-SMA表达略有下降,为对照组的1.90倍,100、200、300 μg/ml组与对照组的差异均有统计学意义(P＜0.05).SiO2处理组细胞体外划痕愈合面积/划痕面积百分比明显大于对照组,差异有统计学意义(P＜0.05).结论 SiO2可诱导HBE细胞发生上皮-间质转型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡永斌	中南大学基础医学院病理学系	43	168	8.0	11.0
2	蒋海鹰	中南大学基础医学院病理学系	61	424	11.0	17.0
3	李翔	中南大学基础医学院病理学系	58	328	9.0	16.0
4	周建华	中南大学基础医学院病理学系	155	899	18.0	23.0
5	高振芹	中南大学基础医学院病理学系	4	16	2.0	4.0