化学炉燃烧合成Al4SiC4粉体的绝热燃烧温度计算与实验研究

• 作者: KIM Hyoung Seop LEE Chong SOO 宋月鹏 李学超 李江涛 陈义祥
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铝碳化硅粉体 绝热燃烧温度 化学炉 燃烧合成
• 年，卷（期）: 2011,（8）
• 所属期刊栏目: 传统陶瓷及耐火材料
• 页码范围: 1323-1328
• 分类号: TB332
• 语种: 中文

摘要

根据热力学基本原理,采用计算机数值计算,对化学炉燃烧合成的铝碳化硅（Al4SiC4）粉体的绝热燃烧温度进行数值计算。结果表明：常温下Al–Si–C体系的绝热燃烧温度仅为1 300 K;只有当预热温度在930 K以上时,才可以实现自蔓延燃烧。Al–Si–C体系的燃烧合成将分步进行,首先生成中间产物Al4C3和SiC,而后由其形成最终产物Al4SiC4。通过体系中添加过量石墨,利用Ti–Si体系化学炉,燃烧合成出粒度均匀且纯度较高的Al4SiC4粉体,根据实验检测并结合绝热燃烧温度计算结果,分析了石墨过量对产物Al4SiC4粉体纯度的影响。