基于可控硅整流器的静电放电防护器件延迟特性

• 作者: 刘进 张希军 李名杰 谭志良 陈永光
• 来源期刊: 高电压技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 可控硅整流器(SCR) 静电放电(ESD)防护器件 延迟特性 快沿脉冲 结构参数 结电容
• 年，卷（期）: 2011,（12）
• 所属期刊栏目: 电磁兼容与工程电磁场
• 页码范围: 2891-2896
• 分类号: O441.1
• 字数: 3062字
• 语种: 中文

摘要

为提高静电放电（ESD）防护器件的开启速度,减小被保护电路的损伤概率,在0.18μm CMOS混合信号工艺下,研究了结构参数、脉冲幅值对基于可控硅整流器（SCR）的ESD防护器件开启时间的影响。在基区渡越时间的基础上,加上了结电容的影响因素,完善了器件防护延迟模型,当注入脉冲电压值增大到700V时,模型最大误差〈0.5ns,在分析快沿脉冲的防护时更符合实际情况。仿真结果表明：当阱间距取5.00μm,N＋与P＋间隔取0.50μm,SCR的开启时间可降为1ns。此外,在大幅值的脉冲注入下,由于结电容的充电速度加快,SCR的开启也更为迅速。实验结果验证了模型和仿真分析的准确性,在一定程度上增大阱间距的宽度,减小N＋与P＋的间隔可以缩短SCR的开启时间,为该类型防护器件的设计、参数优化提供了理论依据。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘进		56	208	8.0	12.0
2	谭志良		62	313	9.0	15.0
3	陈永光		42	296	10.0	15.0
4	张希军		50	393	12.0	17.0
5	李名杰		5	70	3.0	5.0