基于Ⅲ-V与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料色散特性的高灵敏度慢光干涉仪

• 作者: 党博石 吴昊 掌蕴东 王金芳 蔡元学 袁萍
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 干涉仪 非线性光学 Ⅲ-V与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 总论
• 页码范围: 102-107
• 分类号: O437|O472.3
• 语种: 中文

摘要

分析了Ⅲ-V与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的光学特性,证明半导体慢光介质不但可以提高干涉仪的光谱灵敏度,而且可以获得远大于气体慢光介质的工作光谱范围.实验证明,基于慢光介质GaAs的干涉仪光谱灵敏度相对于传统的干涉仪提高约3.2倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	掌蕴东	哈尔滨工业大学可调谐激光技术国家级重点实验室光电子技术研究所	37	374	11.0	18.0
2	袁萍		20	236	9.0	15.0
3	蔡元学	哈尔滨工业大学可调谐激光技术国家级重点实验室光电子技术研究所	1	2	1.0	1.0
4	党博石	哈尔滨工业大学可调谐激光技术国家级重点实验室光电子技术研究所	1	2	1.0	1.0
5	吴昊	哈尔滨工业大学可调谐激光技术国家级重点实验室光电子技术研究所	14	34	3.0	5.0
6	王金芳	哈尔滨工业大学可调谐激光技术国家级重点实验室光电子技术研究所	3	35	2.0	3.0