eDRAM高速读写和紧凑式电荷转移刷新方案

• 作者: 孟超 林殷茵 程宽 董存霖 马亚楠
• 来源期刊: 复旦学报：自然科学版
• 学科: 工学
• 关键词: 动态随机存储器 逻辑工艺 高速读写 紧凑式电荷转移刷新
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 微电子科学与工程
• 页码范围: 33-42
• 分类号: TN492
• 语种: 中文

摘要

提出了一种采用逻辑工艺、访存速度优化、降低刷新功耗的动态随机存储器（DRAM）,使其在嵌入式系统的设计与制造中易于与高性能逻辑电路融合.采用读写前置放大的高速读写方案,使DRAM读写速度得到了优化;采用紧凑式电荷转移刷新替代传统刷新方案,在降低了刷新功耗的同时,缩短了DRAM的刷新时间开销,提高了DRAM的数据可访问性.仿真结果表明：与传统方案相比,在3ns时钟周期下,存储器写操作时间为3ns,减少了23%;数据访问时间为1.8ns,减少了15%;在刷新模式下,灵敏放大器功耗降低了58%,同时刷新时间降低了43%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林殷茵	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	40	129	7.0	10.0
2	程宽	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	10	34	3.0	5.0
3	马亚楠	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	3	9	1.0	3.0
4	孟超	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	3	2	1.0	1.0
5	董存霖	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	2	2	1.0	1.0