提高HT-7放电平顶阶段等离子体密度对逃逸电子的影响

• 作者: 方达 朱俊 段卓琦 竹锦霞 陈忠勇
• 来源期刊: 核聚变与等离子体物理
• 学科: 工学
• 关键词: 逃逸电子 等离子体密度 硬X射线
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 等离子体物理学
• 页码范围: 213-217
• 分类号: TL61+2.11
• 字数: 2396字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0254-6086.2012.03.004

摘要

利用硬X射线探测系统监测HT-7托卡马克装置中逃逸电子轰击到装置第一壁材料时所产生的高能硬X射线,研究了在放电平顶阶段提高等离子体密度对逃逸电子行为的影响.实验结果表明,通过提高放电平顶阶段等离子体密度,HXR强度迅速降到很低的水平,这意味着能有效减少这个阶段形成的逃逸电子的数目及能量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	竹锦霞	四川文理学院物理与工程技术系	26	24	3.0	4.0
2	陈忠勇	云南师范大学物理与电子信息学院	11	13	2.0	3.0
3	方达	云南师范大学物理与电子信息学院	6	9	2.0	2.0
4	朱俊	云南师范大学物理与电子信息学院	10	20	3.0	4.0
5	段卓琦	云南师范大学物理与电子信息学院	5	9	2.0	2.0