中子吸收涂层/斩盘界面应力的有限元分析

• 作者: 唐长亮 姜磊 张小章 戴兴建
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 界面应力 中子吸收涂层 弹性模量 泊松比 涂层厚度
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 118-123
• 分类号: TH123.4
• 语种: 中文

摘要

中子吸收涂层/斩盘界面的结合强度直接影响转盘式中子斩波器的性能.本文基于有限元计算软件ANSYS,对高速离心载荷下中子吸收涂层/斩盘界面的应力分布进行计算分析,考察涂层的弹性模量、泊松比、涂层厚度等参数对界面应力分布的影响.结果表明,采用软而韧的涂层可有效降低涂层/斩盘界面的应力峰值；减小涂层厚度有助于避免高速离心载荷下斩盘开口处的塑性破坏.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姜磊	清华大学工程物理系	12	195	6.0	12.0
2	张小章	清华大学工程物理系	49	413	12.0	19.0
3	戴兴建	清华大学工程物理系	59	998	16.0	30.0
4	唐长亮	清华大学工程物理系	8	70	3.0	8.0