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摘要:
采用密度泛函理论(DFT)B3LYP/6-31G方法,对设计的6个不同位置取代氨基的香豆素衍生物的几何构型进行优化.在所得优化结构基础上对这些分子的稳态二阶NLO系数β值进行计算分析,并采用含时密度泛函理论(TD-DFT)方法计算了其电子性质,研究了取代位置对香豆素类衍生物分子的二阶NLO性质的影响规律.结果表明:当氨基取代在4号位时香豆素分子中的羰基表现出供电性,对分子内电荷转移非常不利,不利于提高分子的β值;当氨基取代在3、5、6、7、8位时分子中的羰基表现出吸电性,使分子形成D-r-A构型,并且氨基在3、7位的取代能够扩大体系的共轭范围,有效增加了香豆素分子的βtot值.
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文献信息
篇名 取代位置对香豆素衍生物二阶非线性光学性质影响的DFT研究
来源期刊 量子电子学报 学科 化学
关键词 非线性光学 二阶非线性效应 密度泛函 香豆素 取代位置
年,卷(期) 2012,(4) 所属期刊栏目 非线性光学
研究方向 页码范围 485-490
页数 分类号 O621
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1007-5461.2012.04.017
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王刚 中国科学院烟台海岸带研究所 164 1405 19.0 32.0
2 赵波 南京师范大学化学与环境科学学院 61 326 9.0 14.0
3 梁小蕊 37 196 6.0 13.0
4 江炎兰 29 193 6.0 13.0
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非线性光学
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量子电子学报
双月刊
1007-5461
34-1163/TN
大16开
安徽省合肥市1125邮政信箱
26-89
1984
chi
出版文献量(篇)
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6
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