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摘要:
目的 探讨注意缺陷多动障碍(ADHD)患儿的错误相关负电位(ERN)的变化特点.方法 应用事件相关脑电位仪,对30例ADHD患儿和30名健康儿童做ERN检测并比较.结果 与健康儿童相比,ADHD患儿的正确反应率明显降低、正确反应和错误反应的反应时明显延长;ERN潜伏期(Cz、Fz、C3和C4)明显延迟、波幅(Cz、C3、Fz和Pz)降低.结论 ADHD患儿的ERN潜伏期和波幅异常,可能反映了患者内在错误监控机制存在缺陷.
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文献信息
篇名 注意缺陷多动障碍儿童的错误相关负电位的检测
来源期刊 神经病学与神经康复学杂志 学科 医学
关键词 注意缺陷多动障碍 错误相关负电位 事件相关电位
年,卷(期) 2012,(3) 所属期刊栏目 临床研究
研究方向 页码范围 106-108
页数 3页 分类号 R748|R338.8
字数 2342字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈兴时 上海交通大学医学院附属精神卫生中心 87 177 6.0 9.0
2 黄军斌 上海市闸北区精神卫生中心精神科 11 22 3.0 4.0
3 孙复林 上海市闸北区精神卫生中心精神科 10 41 3.0 6.0
4 吕坚 上海市闸北区精神卫生中心精神科 5 8 2.0 2.0
5 吴荣琴 上海市闸北区精神卫生中心精神科 17 131 5.0 11.0
6 李桦 上海市闸北区精神卫生中心精神科 7 33 3.0 5.0
7 徐璐 上海市闸北区精神卫生中心精神科 5 6 1.0 2.0
8 钱玲萍 上海市闸北区精神卫生中心精神科 7 10 2.0 3.0
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研究主题发展历程
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错误相关负电位
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神经病学与神经康复学杂志
季刊
1672-7061
31-1927/R
大16开
上海市山东中路145号上海交通大学医学院附属仁济医院(西部)
2004
chi
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