在立方氧化锆中MgO的掺入对其高压电子结构和光学性质的影响

• 作者: 何林 尹君
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 立方氧化锆 第一性原理 掺入MgO 高压 电子结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 量子光学与激光物理
• 页码范围: 1065-1068
• 页数: 4页
• 分类号: O481
• 字数: 2073字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2012.06.022

摘要

采用基于密度泛函理论框架下的平面波超软赝势方法,分别计算了70 GPa压力下立方氧化锆理想晶体以及在其中掺入MgO时的电子结构和光学性质.计算结果表明,掺入MgO使得立方氧化锆禁带宽度稍微减小,从而导致其吸收边发生微小红移,但不影响立方氧化锆在可见光范围内的高压光吸收性(吸收系数仍为零).70 GPa压力下,立方氧化锆理想晶体和在其中掺入MgO时均在可见光区保持透明.同时,在立方氧化锆中掺入MgO使得大约120 nm处的反射谱主峰峰值强度有所降低,以及约120 nm处的能量损失谱主峰向长波方向移动,峰值强度有明显地降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何林	四川师范大学物理与电子工程学院	30	82	5.0	7.0
2	尹君	四川师范大学物理与电子工程学院	3	6	2.0	2.0