基于单轴微拉伸的TSV铜力学性能研究

• 作者: 丁桂甫 张振杰 李君翊 汪红 王慧颖 王溯 程萍
• 来源期刊: 复旦学报：自然科学版
• 学科: 工学
• 关键词: 硅通孔 互连铜 微拉伸 微观力学性能
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 2011年全国电子电镀及表面处理学术会议优秀论文专辑
• 页码范围: 184-189,I0004;I0005
• 分类号: TQ153
• 语种: 中文

摘要

电子产品的微型化趋势使芯片的三维集成概念应运而生,并通过硅通孔（TSV-through silicon via）技术得以实现.为了测试TSV中互连铜（Cu-TSV）的力学性能,提出了1个简便、易于操作的单轴微拉伸方法.利用有限元分析优化设计Cu-TSV微拉伸试样的支撑框架结构,有效减小试样在制作及操作过程中的损伤;种子层采用溅射Ti膜取代传统的溅射Cr/Cu膜,减小了电镀过程中的应力,避免了对种子层碱性刻蚀时对试样的腐蚀;采用单轴微拉伸系统对优化设计与制备的Cu-TSV微拉伸试样进行测试.经测试得到的Cu-TSV的杨氏模量与抗拉强度为25.4～32.9GPa和574～764MPa.