InP基1×4多模干涉耦合器的设计与制作

• 作者: 张灿 朱洪亮 王宝军 边静 陈明华 马丽
• 来源期刊: 光子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多模干涉耦合器 强限制波导 束传播方法
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 波导与集成光学
• 页码范围: 299-302
• 分类号: TN252
• 字数: 1805字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/gzxb20124103.0299

摘要

在密集波分复用系统中,多波长DFB激光器阵列与多模干涉耦合器集成光源器件具有重要的应用前景.为了研制多波长集成光源中的宽带可用低损耗光耦合器,利用三维有限差分光束传播法仿真设计了一种具有强限制作用的InP/InGaAsP材料的多模干涉型耦合器.输入/输出端波导均采用楔形结构以降低多模干涉型耦合器的插入损耗,提高各个输出端口的出光平衡度.根据仿真结果,结合波导芯层为采用外延生长设备,采用反应离子刻蚀工艺制作了1×乘4多模干涉型耦合器.利用自动对准波导耦合测试系统对所制作器件的插入损耗和出光平衡度进行测量.测试结果表明,该器件在1550 nm波长附近的40 nm带宽范围内获得了约2.6dB的通带平坦度,在1550 nm通信波长处,器件的插入损耗低于10 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱洪亮	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	32	94	6.0	7.0
2	张灿	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	41	119	6.0	10.0
3	马丽	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	54	1277	16.0	35.0
5	陈明华	清华大学电子工程系	42	312	9.0	16.0
8	王宝军	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	27	315	8.0	17.0
9	边静	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	9	10	2.0	3.0