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摘要:
凌力尔特公司推出过压保护控制器LT4363,该器件为高可用性电子系统提供了过压和过流保护。LT4363通过简单地控制一个N沟道MOSFET,实现了可靠、自适应和节省空间的设计。只有控制器和MOSFET经受高压浪涌,下游组件可以提供较低电压的额定值,因此节省了成本。
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内容分析
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文献信息
篇名 LT4363:过压保护控制器
来源期刊 世界电子元器件 学科 工学
关键词 保护控制器 过压 N沟道MOSFET 过流保护 电子系统 高可用性 自适应 额定值
年,卷(期) 2012,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 36-36
页数 1页 分类号 TM762.1
字数 1171字 语种 中文
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研究主题发展历程
节点文献
保护控制器
过压
N沟道MOSFET
过流保护
电子系统
高可用性
自适应
额定值
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
世界电子元器件
月刊
1006-7604
11-3540/TN
16开
北京市北四环西路67号大地科技大厦1201-1218
82-796
1995
chi
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