光刻技术:发展路径及未来趋势

• 作者: 山口佳一 島基之 征矢野晃雅
• 来源期刊: 影像科学与光化学
• 学科: 工学
• 关键词: 光刻技术 纳米器件 分辨力增强 光刻胶材料
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 1-8
• 分类号: TN305
• 字数: 439字
• 语种: 中文

摘要

光刻技术在半导体器件大规模生产中发挥重要作用.今天,多数先进半导体生产都已经应用ArF准分子激光浸润光刻技术.双重图像曝光和侧壁图像转移技术使ArF准分子激光浸润光刻技术延伸到32纳米半节距(HP)器件的制造成为可能.为了制造更小尺寸的器件,必须开发新的制造工艺.极端紫外线光刻是制造22纳米半节距甚至更小尺寸半导体器件的先进下一代光刻技术解决方案.另外,其他技术解决方案,如纳米压印光刻技术和无掩模直描光刻技术等也被考虑用于制造更小节点尺寸的器件,但是目前这些方案仅仅处在研发阶段,而且在现阶段就已经呈现出在大规模生产中的诸多困难.本文从材料的角度对光刻技术进行一个整体描述,并对光刻技术未来趋势进行讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	山口佳一	JSR株式会社精细电子研究所半导体材料研究室	1	14	1.0	1.0
2	征矢野晃雅	JSR株式会社精细电子研究所半导体材料研究室	1	14	1.0	1.0
3	島基之	JSR株式会社精细电子研究所半导体材料研究室	1	14	1.0	1.0