局部阴影遮挡的太阳电池组件输出特性实验研究

• 作者: 张臻 李达 沈辉
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳电池组件 输出特性 阴影遮挡 旁通二极管
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 页码范围: 5-12
• 分类号: TK51
• 字数: 4959字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0254-0096.2012.01.002

摘要

结合太阳电池双二极管与雪崩击穿效应数学模型,设计太阳电池组件遮挡实验,并对组件性能进行实际测试.分别在有、无旁通二极管两种情况下,分析比较单片太阳电池小比例(1％～10％)、大比例(10％～100％)遮挡及多片电池阴影遮挡的太阳电池组件输出的I-V及P-V特性曲线.结果表明,有、无旁通二极管情况下,组件单片电池被遮挡1％～10％,整个组件输出功率下降比例均不超过2％,同一串电池片之间可允许存在小的功率差异或表面辐照强度差异(＜5％).同组件无旁通二极管多个电池遮挡实验显示,电池出现热斑效应时会被反向击穿,实验组件击穿电压约15V,为避免热斑损害,组件中应对少于15/0.6 =25片串联电池并联一个旁通二极管.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈辉	中山大学太阳能系统研究所	121	1808	24.0	37.0
2	李达	中山大学太阳能系统研究所	4	89	3.0	4.0
3	张臻		4	55	3.0	4.0