室温非晶硅薄膜热电阻温度系数研究

• 作者: 伞振雷 李金华 谢建生
• 来源期刊: 常州大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 非晶硅薄膜 离子束增强沉积 热电阻温度系数 红外探测仪
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 9-13
• 页数: 5页
• 分类号: TN21
• 字数: 2571字
• 语种: 中文

摘要

用离子束增强沉积(IBED)方法,在SiO2/Si衬底上沉积了非晶硅薄膜和注氢的非晶硅薄膜.研究薄膜的电阻温度系数(TCR)随制备工艺的变化,分析非晶硅薄膜电阻的稳定性对电阻温度系数的影响.本征非晶硅电阻太大,虽然经过适当地退火后,TCR能够达到6.39％ K-1,但是电阻值还是过高,不适合制作器件.经过硼掺杂的非晶硅薄膜,电阻显著下降,相应的TCR可以达到6.80％ K-1.制作的氢化非晶硅薄膜的电阻温度系数(TCR)高达8.72％K-1,且制作工艺简单,与常规集成电路工艺兼容性好.用离子束增强沉积的非晶硅薄膜可以用于制备红外探测仪.但实验还存在着重复性不好等问题,需要作深入的实验研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢建生	常州大学数理学院	5	4	1.0	2.0
2	李金华	常州大学数理学院	4	3	1.0	1.0
3	伞振雷	常州大学数理学院	1	0	0.0	0.0