钨等离子体电子密度的研究

• 作者: 吴双 周平 姜明 肖培
• 来源期刊: 四川师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 钨等离子体 电子密度 聚变堆第一壁
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 页码范围: 534-538
• 分类号: O571
• 字数: 2593字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8395.2012.04.021

摘要

用SHML模型计算了温度从0.3 keV到10.0 keV、密度从0.001 g/cm3到0.1 g/cm3的钨等离子体的电子密度,研究了钨等离子体电子密度随温度、密度的变化规律.计算结果表明,钨的电子密度随等离子体的温度、密度增加而增大,并且出现了3次缓慢变化的平台.分析了平台出现的原因,特别是温度从6.5 keV到10.0 key时出现的平台,是由于等离子体的温度太高,导致钨原子中的电子几乎全部电离所致.因此,选用钨元素作为聚变堆第一壁材料时,应尽量避免高Z钨进入氘、氚等离子体中,从而破坏聚变反应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周平	四川师范大学数学与软件科学学院	24	63	5.0	6.0
2	姜明	西南民族大学电气信息工程学院	50	98	5.0	6.0
3	吴双	西南民族大学电气信息工程学院	13	25	3.0	4.0
4	肖培	西南民族大学电气信息工程学院	7	7	2.0	2.0