飞兆半导体和英飞凌科技进一步扩展功率MOSFET兼容协议

• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 功率MOSFET 飞兆半导体公司 协议 兼容 科技 合作伙伴关系 非对称结构 便携产品
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 信息报道
• 页码范围: 46-47
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文

摘要

全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司（FairchildSemiconductor）~I]英飞凌科技（InfineonTechnologies）宣布，两家公司进一步扩展封装兼容合作伙伴关系，扩展协议将包括5mm×6mm非对称结构功率级双MOSFET封装。