硫化镉晶片抛光工艺研究

• 作者: 孙涛 李强
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硫化镉(CdS) 化学机械抛光(CMP) 氧化剂 原子力显微镜(AFM) 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 208-212
• 分类号: TN305.2
• 字数: 1396字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2012.03.012

摘要

研究了硫化镉(CdS)晶片Cd面的化学机械抛光(CMP)工艺.采用硅溶胶抛光液和NaClO氧化剂,分别使用聚氨脂和磨砂革抛光垫进行粗抛和精抛实验,并研究了氧化剂掺入量、抛光转速、抛光压力等工艺条件对CdS晶片表面质量的影响.结果表明,在抛光液中氧化剂体积分数为6％左右、抛光盘的转速为90～100 r/min、压强为55～60 g/cm2条件下可得到平整度较好、表面缺陷低、表面粗糙度低的高质量抛光表面.金相显微镜和微分干涉显微镜下观测抛光片表面无划痕、无桔皮产生,原子力显微镜测试得到抛光后CdS晶片Cd面的表面粗糙度值仅为0.385 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李强	中国电子科技集团公司第四十六研究所	68	190	6.0	11.0
2	孙涛	中国电子科技集团公司第四十六研究所	6	10	2.0	3.0