过硫酸铵在TMAH体硅刻蚀中的作用

• 作者: 余协正 叶迎华 李创新 沈瑞琪
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 微电子机械系统(MEMS) 四甲基氢氧化铵(TMAH) 各向异性刻蚀 过硫酸铵(AP) 粗糙度
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 134-139
• 分类号: TH703|TN405
• 字数: 2350字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2012.02.012

摘要

为了提高低浓度下四甲基氢氧化铵(TMAH)体硅刻蚀的质量,通过对质量分数为5％的TMAH进行研究,发现合适的过硫酸铵(AP)添加方式和添加量能够在不降低刻蚀速率的条件下提高体硅刻蚀质量.通过SEM,EDS和XRD对AP的作用机理进行深入分析,发现加入AP能使刻蚀底面生成“伪掩膜”,并确定其成分为低温石英晶体.这些“伪掩膜”能够选择性地覆盖于刻蚀底面金字塔小丘的交界区域,使刻蚀底面相对凹陷的部分被保护,而金字塔顶相对凸出的部分则被刻蚀,从而在宏观上达到了降低粗糙度的效果.在此基础上得到了“两步法”的优化刻蚀工艺,结合该工艺已成功制备出深度485 μm,平均刻蚀速率1.01 μm/min,底面粗糙度仅为0.278 μm硅杯微结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶迎华	南京理工大学应用化学系	123	751	15.0	19.0
2	沈瑞琪	南京理工大学应用化学系	171	1017	16.0	20.0
3	李创新		7	25	3.0	5.0
4	余协正	南京理工大学应用化学系	4	20	3.0	4.0