Si SOI微剂量探测器电荷收集特性数值模拟

• 作者: 刘书焕 唐杜 李永宏 贺朝会
• 来源期刊: 信息与电子工程
• 学科: 工学
• 关键词: 微剂量探测器 瞬时电流 空间电荷 TCAD模拟
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 微光机电与物理电子技术
• 页码范围: 616-620
• 页数: 5页
• 分类号: TN34|TL814
• 字数: 1809字
• 语种: 中文

摘要

采用数值模拟软件TCAD对影响绝缘体上硅(SOI) PIN微剂量探测器灵敏区电荷收集特性的主要因素进行了模拟与分析.分析了3 MeVα粒子在PIN探测器内沉积能量产生的瞬时电流随探测器偏置电压(10 V至50 V)和掺杂浓度、粒子入射方向的变化.模拟结果表明,随着反偏电压的增大,载流子复合效应降低,瞬态电流增加；当n+区域反偏电压为10V时,由α粒子入射产生的空间电荷在1 ns内几乎全部被收集,电荷收集效率接近100％；辐射产生的瞬时电流随探测器各端掺杂浓度的增大而减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贺朝会	西安交通大学核科学技术学院	35	120	5.0	10.0
2	刘书焕	西安交通大学核科学技术学院	15	33	4.0	5.0
3	唐杜	西安交通大学核科学技术学院	7	13	2.0	3.0
4	李永宏	西安交通大学核科学技术学院	12	77	3.0	8.0