MCML/TG混合结构与三值T门和三值D-latch电路设计

• 作者: 章专 连明超
• 来源期刊: 浙江大学学报（理学版）
• 学科: 工学
• 关键词: MOS电流模逻辑 MCML CMOS传输门 三值T门
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 电子科学
• 页码范围: 531-534
• 分类号: TN323
• 字数: 2513字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3785/j.issn.1008-9497.2012.05.008

摘要

在深入分析MCML和TG的电路特点后,提出将2种结构结合起来进行数字电路设计的思路.该混合结构主要由MCML和TG共同构成,MCML结构产生控制信号,TG进行信号的传输.并以三值T门和三值D锁存器电路为例,验证了这种设计思路的可行性.通过Hspice软件,采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺,供电电压1.8V,对所设计的电路进行仿真,分析结果表明:电路逻辑功能正确；输入输出高低电平一致,具有较好的电压兼容性；功耗保持MCML结构的优势,基本与频率无关；与传统的CMOS电路相比,取得了较大的延迟优化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	章专	浙江大学电路与系统研究所	18	183	7.0	13.0
2	连明超	浙江大学电路与系统研究所	2	15	2.0	2.0